Технологія пам’яті ZAM від Intel кидає виклик всім виробникам HBM

14:01, 05.05.2026

Нещодавно стало відомо, що Intel та SoftBank вже майже розробили новий стандарт ZAM (Z-Angle Memory). Нова технологія зможе кинути виклик всім виробникам HBM.

Ключові аспекти стосовно нової технології від Intel

Стандарт ZAM буде в значній мірі наближений до нового HBM4E. Однак серійне виробництво новинки від Intel не відбудеться найближчим часом, тому що розробка завершиться не раніше ніж у 2028–2030 роках.

Деталі щодо новинки були оприлюднені на VLSI Symposium 2026, однак, незважаючи на це, доступна інформація досить обмежена. Планується, що ZAM матиме 9-шарову структуру. Один логічний контролер буде розташований на основній підкладці. Також відомо, що основний стек складатиметься з 8 модулів DRAM.

Технологія буде складатися з 3 основних рівнів TSV, які будуть використовувати гібридне з’єднання. Основною перевагою стане ширша щільність смуги пропускання ~0,25 Тб/с/мм². Крім того, буде нижче енергоспоживання та краще розсіювання тепла.

ZAM підтримує понад 9 шарів з надвисокою щільністю з міжз’єднаннями TSV в кожному шарі. Нова архітектура чудово оптимізована під задачі, пов’язані з ШІ.

Сподіваємося, стаття виявилася корисною - а як ви вважаєте? Поставте лайк і підпишіться на наш блог, щоб отримувати більше практичних порад та останніх новин про технології від HostZealot.

Поділитися