Sandisk готує проривну флеш-пам'ять HBF для ІІ-інфраструктури

Компанія SanDisk оприлюднила деталі щодо нового стандарту пам’яті HBF (High Bandwidth Flash), розробленого спільно з SK hynix. Ця пам'ять покликана знизити витрати на розбудову інфраструктури штучного інтелекту та зменшити залежність галузі від дефіцитних графічних процесорів (GPU) і традиційних чіпів HBM.

Компанія SanDisk планує поставити перші фізичні зразки наступного року, а масове виробництво має розпочатися у 2028 році.

Ефективність HBF

У порівнянні з HBM, HBF матиме вищу швидкість читання та в 6–8 разів більшу ємність. Це досягається завдяки архітектурі HBF, яка використовує вертикальні стеки з 8 або 16 кристалів NAND із загальною ємністю до 512 ГБ. Як результат, обчислювальна система, що поєднує пам’ять HBF із 4 графічними процесорами, може забезпечити таку саму продуктивність під час роботи з великими мовними моделями, як і традиційна конфігурація, що вимагає 8 графічних процесорів із пам’яттю HBM.

Завдяки пропускній здатності, що відповідає HBM, та нижчій загальній вартості пам’ять HBF може суттєво зменшити витрати на розгортання центрів обробки даних.

Довгострокові контракти та фінансові перспективи

Новий стандарт пам’яті стане ключовим фактором зростання для SanDisk. Представники компанії повідомили на заході для інвесторів, що прогнозують середнє щорічне зростання виручки на рівні 16–19% у період з 2028 по 2030 рік, зберігаючи рентабельність на рівні близько 80%.

Компанія SanDisk уже уклала угоди з 8 великими клієнтами, яким гарантовано придбання до двох третин загального обсягу виробництва SanDisk до 2028 року.