Samsung розпочала виробництво пам'яті V-NAND з 33% вищою продуктивністю та на 10% вищою енергоефективністю
6s
2
15:18, 24.04.2024
Компанія Samsung оголосила про початок масового виробництва флеш-пам'яті V-NAND з на 33% вищою продуктивністю, ніж у наявних на сьогоднішній день. TCL V-NAND, яка буде випущена цього місяця, матиме ємність 1 Тбіт, тоді як QLC V-NAND анонсована на другу половину 2024 року.
Щільність бітів у пам'яті V-NAND 9-го покоління приблизно на 50% вища, ніж у пам'яті V-NAND попередніх поколінь. Це досягається завдяки новим технологіям зменшення перешкод між комірками, продовження терміну служби комірок і зменшення площі комірки за допомогою технології травлення каналів (Channel Hole Etching).
V-NAND 9 також оснащена інтерфейсом нового покоління NAND Toggle 5.1 зі швидкістю до 3,2 IOPS, що на 33% більше, ніж у попередньому поколінні. Загальна енергоефективність підвищена на 10%.
Чи була ця стаття корисною для вас?
Так
Ні
Популярні пропозиції VPS
-10%
Windows
€ 9.9 /м
При оплаті за рік
-10%
Linux
€ 16.69 /м
При оплаті за рік
-10%
Linux
€ 231 /м
При оплаті за рік
-10%
Windows
€ 28.99 /м
При оплаті за рік
-21%
Windows
€ 65 /м
При оплаті за рік
-18.4%
Windows
€ 24 /м
При оплаті за рік
-20.8%
Windows
€ 100 /м
При оплаті за рік
-10%
Linux
€ 5.2 /м
При оплаті за рік
-10%
Linux
€ 7.7 /м
При оплаті за рік
-10%
Linux
€ 20.47 /м
При оплаті за рік
