Samsung розпочала виробництво пам'яті V-NAND з 33% вищою продуктивністю та на 10% вищою енергоефективністю

Компанія Samsung оголосила про початок масового виробництва флеш-пам'яті V-NAND з на 33% вищою продуктивністю, ніж у наявних на сьогоднішній день. TCL V-NAND, яка буде випущена цього місяця, матиме ємність 1 Тбіт, тоді як QLC V-NAND анонсована на другу половину 2024 року.

Щільність бітів у пам'яті V-NAND 9-го покоління приблизно на 50% вища, ніж у пам'яті V-NAND попередніх поколінь. Це досягається завдяки новим технологіям зменшення перешкод між комірками, продовження терміну служби комірок і зменшення площі комірки за допомогою технології травлення каналів (Channel Hole Etching).

V-NAND 9 також оснащена інтерфейсом нового покоління NAND Toggle 5.1 зі швидкістю до 3,2 IOPS, що на 33% більше, ніж у попередньому поколінні. Загальна енергоефективність підвищена на 10%.