Samsung збільшить випуск DRAM за рахунок модернізації фабрик

На тлі високого попиту на динамічну оперативну пам’ять південнокорейський гігант Samsung Electronics вирішив відмовитися від будівництва нових виробничих потужностей: замість фізичного розширення компанія зосереджується на оптимізації існуючих потужностей та переході на більш досконалі технологічні вузли.

Оптимізація виробничої лінії в Пхьонтеку та модернізація заводу в Хвасоні 

Ключовим елементом стратегії Samsung щодо збільшення виробництва DRAM є перехід від технологічного вузла 1b до більш досконалого вузла 1c, а також модернізація обладнання діючих фабрик. На заводі в Пхьонтеку активно проводиться модернізація обладнання; минулого року на нього припадало 49,5% обсягу виробництва DRAM компанії, і очікується, що наступного року ця частка зросте до 55,4%. 

Одночасно в Хасеонгу застарілі лінії 2D NAND перепрофільовуються для тестування та пакування DRAM. Перепрофілювання цих налагоджених ліній дозволяє збільшити обсяги виробництва без зайвих витрат, хоча це й має певні технологічні обмеження. 

Згідно з прогнозами Omdia, обсяг виробництва DRAM компанією Samsung цього року зросте на 6% (досягнувши 8,2 млн пластин), а наступного року — лише на 1,3%.

Скорочення витрат на тлі агресивного просування SK Hynix 

Поки Samsung прагне досягти максимальної ефективності на існуючих лініях, її головний конкурент, SK Hynix, обирає більш агресивний шлях. 

SK Hynix планує збільшити обсяг обробки пластин цього року майже на 10%, довівши загальний показник до 6,66 млн одиниць. Як наслідок, перевага Samsung над SK Hynix у виробництві DRAM, яка минулого року становила 27%, до кінця наступного року може скоротитися до 13,6%. 

Аналітики відзначають, що в умовах дефіциту пам’яті стратегія розширення SK Hynix забезпечує більшу гнучкість для насичення ринку, тоді як Samsung покладається на вдосконалення технологічних вузлів та якість продукції.