Прорив у 3D-літографії від ASM

Нідерландський виробник напівпровідникового обладнання ASM анонсував систему XP8 Vertos Flowable Carbon. Це перша промислова платформа для нанесення плівок з текучого вуглецю методом плазмового хімічного осадження з парової фази (PECVD), спеціально розроблена для виробництва складних тривимірних мікросхем пам’яті та логічних мікросхем.

Усунення складного шліфування та хімічної обробки

У міру зростання складності архітектури 3D-мікросхем порожнини в кристалічних структурах стають глибшими та вужчими, що робить традиційне осадження захисних та допоміжних шарів трудомістким процесом. 

Нова розробка компанії ASM вирішує цю проблему завдяки унікальним властивостям матеріалу:

• Заповнення знизу вгору: вуглецевий матеріал заповнює вузькі щілини з високим співвідношенням сторін, не залишаючи порожнин.
• Самопланаризація: плівка утворює практично рівну поверхню безпосередньо під час процесу осадження.

Завдяки поєднанню цих властивостей процес усуває необхідність подальшого хіміко-механічного полірування або травлення для видалення надлишку матеріалу.

Підвищення виходу мікросхем та оптимізація виробництва

Матеріал відрізняється високою термічною стабільністю та дозволяє контрольовано частково заповнювати зазори, що є критично важливим для виробництва сучасних мікросхем DRAM, 3D NAND та сучасних логічних мікросхем, де навіть мінімальні відхилення поверхні призводять до дефектів.

Поєднавши заповнення та планаризацію в єдину платформу PECVD, компанія ASM скорочує кількість етапів процесу та оптимізує виробничий ланцюг. 

Компанія пропонує галузі новий підхід до масштабування напівпровідників — не шляхом подальшого зменшення розмірів транзисторів, а завдяки інтелектуальним матеріалам, спеціально розробленим для складної 3D-геометрії.