Прорив Samsung у 900-шаровій NAND-пам’яті може змінити майбутнє AI-сховищ

За повідомленнями, компанія Samsung розробила перший у світі прототип 900-шарового 3D-чіпа флеш-пам'яті NAND. Це не просто збільшення кількості шарів у технічних характеристиках, а свідчення стрімкого прогресу в галузі виробництва чіпів пам'яті, зумовленого зростаючим попитом систем штучного інтелекту на швидші, щільніші та ефективніші чіпи пам'яті.

Цей чіп виготовлено за технологією Cell Multi-Bonding від Samsung. По суті, Samsung об'єднав два шари 450-шарових пластин у єдиний чіп.

Чому це важливо для конкуренції

Наразі SK hynix лідирує на ринку багатошарової NAND з 321-шаровими чіпами, тоді як Samsung готує масове виробництво 400-шарової NAND. Водночас китайська компанія YMTC наздоганяє конкурентів, вже випускаючи 294-шарові чіпи.

Цей тиск має значення. Компанія Samsung колись була піонером у розробці 3D V-NAND у 2013 році, але більш високі стоси спричинили реальні інженерні проблеми, зокрема деформацію пластин та зміщення шарів. Зараз компанія використовує вдосконалені системи фіксації та корекції накладення, щоб подолати ці обмеження.

Наш висновок

Потенційний вплив для кінцевих користувачів варіюється від менших пристроїв і збільшеної ємності до зниженого енергоспоживання в дата-центрах та покращених можливостей підтримки обробки штучного інтелекту. Хоча 900-шарова NAND, можливо, не з'явиться у вашому ноутбуці найближчим часом, саме такі розробки визначатимуть майбутнє технологій зберігання даних.

Поділіться цією статтею з тими, хто цікавиться мікросхемами, штучним інтелектом або технологіями зберігання даних, і читайте більше наших останніх новин про технології.