Intel представила масивний ШІ-чип нового покоління

Intel опублікувала технічний документ, у якому описала стратегію розробки та впровадження апаратного забезпечення для ШІ. Головною особливістю презентації став реальний зразок системи в корпусі (SiP), розміром у вісім стандартних фотошаблонів мікросхем. Система вже придатна для виробництва.

Архітектура чипа

Чип має розмір восьми стандартних фотошаблонів. Він включає 4 потужних кристали (ймовірно виготовлені за 18А техпроцесом), 12 стеків високошвидкісної пам’яті HBM4 та 2 блоки вводу-виводу для швидшого обміну даними.

Корпус значно відрізняється від аналогічних рішень інших компаній, таких як TSMC. Основна особливість — багаторівнева конструкція, що дозволяє об’єднувати обчислювальні блоки, стеки пам’яті та швидкі міжчипові з’єднання. Intel використовує мости EMIB-T зі сквозними отворами, що дозволяють сигналам і енергії вільно переміщатися горизонтально та вертикально. Це дозволяє “нашаровувати” обчислювальні блоки, створюючи багатошарову структуру з максимальною щільністю контактів.

Зазначимо, що поки це не функціональний чип, а тестовий зразок, який демонструє, які ШІ-процесори реально можна створити.

Підвищена енергоефективність

Intel впровадила кілька технологій для підвищення енергоефективності:

• PowerVia — живлення з зворотного боку кристала.
• Вбудовані регулятори напруги (IVR).
• Багаторівневі конденсатори (eDTC та Omni MIM) для стабілізації живлення під навантаженням.

Сигнал для ринку

Демонстрація тестового ШІ-чипа також є маркетинговим ходом. Intel показує, що здатна створювати чипи, що перевершують пропозиції конкурентів, і прагне очолити ринок розробки ШІ-технологій.

Що стосується самого чипа, він є ще одним кроком у розвитку енергоефективних дата-центрів та обробки складних моделей машинного навчання і генеративного ШІ.