IBM і Siemens готують інженерів до розробки чипів із техпроцесом 0,7 нм
16:10, 16.10.2026
IBM та Siemens об'єднали зусилля для вдосконалення інструментів проектування мікросхем на основі архітектури Nanostack.
Компанії мають на меті підготувати інженерів до роботи з технологією 0,7 нм, що дозволить збільшити щільність транзисторів та зменшити енергоспоживання майбутніх мікросхем.
Технологія Nanostack та її переваги
Архітектура Nanostack, також відома як CFET, передбачає вертикальне укладання транзисторів n-типу та p-типу, а не їхнє розміщення поруч. Такий підхід дозволяє ефективніше використовувати площу мікросхеми та збільшує щільність компонентів.
За оцінками IBM, ця технологія дозволить розмістити близько 100 мільярдів транзисторів на мікросхемі площею 150 мм² (майже вдвічі більше, ніж у технологічному процесі 2 нм). Компанія також прогнозує потенційне підвищення продуктивності на 50 % або зниження енергоспоживання на 70 % порівняно з мікросхемами, виготовленими за 2-нм технологічним процесом.
Не без викликів: складнощі нової конструкції
Однак вертикальне укладання транзисторів ускладнює проектування мікросхем через електричний опір та теплові взаємодії між компонентами. Щоб вирішити ці проблеми, IBM планує випустити попередню версію набору для проектування технологічного процесу (PDK).
Цей набір міститиме бібліотеки стандартних логічних комірок та масивів SRAM, що дозволить інженерам тестувати проекти схем та оцінювати щільність розміщення, продуктивність і енергоспоживання ще до початку виробництва.
Siemens підтримуватиме розвиток EDA
Siemens допоможе адаптувати інструменти автоматизації електронного проектування (EDA) до нової архітектури. Компанія стала одним із провідних гравців на цьому ринку після придбання Mentor Graphics у 2017 році за 4,5 млрд доларів.
Очікується, що до співпраці також долучаться розробники мікросхем, виробники обладнання та науково-дослідні організації.
Попередній PDK планується випустити в першому кварталі 2027 року, тоді як IBM очікує, що технологія буде впроваджена на практиці не пізніше 2031 року.