Деталі стосовно продуктів SK hynix: вихід SSD з PCIe 7.0, GDDR7-Next, та HBM5

На заході SK AI Summit 2025, виробник пам’яті SK hynix  презентував нову стратегію розвитку своїх технологій. Наступне покоління пам’яті GDDR7-Next та накопичувачі PCIe 7.0 вірогідніше всього з’являться в 2029-2031. Компанія планує релізи стандартних продуктів та рішення для проектів із ШІ навантаженнями.

2026-2028: SSD на PCIe Gen6, HBM4 та LPDDR6

В наступні три роки, компанія планує орієнтуватись на HBM4 з конструкціями 16-Hi та HBM4E у варіантах 12, 8, та 16-Hi. Крім того, SK hynix зосередиться на кастомній версії HBM4E для певної групи клієнтів.

Очолить лінійку стандартних модулів оперативної пам’яті - LPDDR6, яка буде орієнтована на ультратонкі ноутбуки та мобільні девайси. До серії AI-D для задач ШІ увійдуть:

• LPDDR5R,
• LPDDR5X SOCAMM2,
• MRDIMM Gen2,
• CXL LPDDR6-PIM 2 покоління.

Що стосується сегменту NAND, планується випуск PCIe Gen5 eSSD до 245 ТБ для потреб корпоративного ринку та cSSD для клієнтських потреб. Крім того, в мобільному сегменті будуть версії UFS 5.0 та продукти AI-N.

2029-2031: GDDR7-Next, DDR6, та 400-шарова NAND

В період з 2029 по 2031 роки, з’явиться покоління графічної пам’яті GDDR7-Next з топовими характеристиками, які матимуть вищу швидкість ніж поточна версія. Вірогідніше всього, виробники CPU продовжать використовувати GDDR7 ще певний час. Також запланований вихід DDR6 і 3D DRAM.

Стосовно серії HBM, планується випуск HBM5 і HBM5E разом із спеціалізованими модифікаціями. У нових варіантах очікується вивільнення площі на ASIC чи GPU та мінімізація енергоспоживання, через перенесення частини логіки в базовий шар кристала. Виробництво таких кристалів уже розробляється разом з TSMC.

В NAND буде доступний новий рівень продуктивності, і 4D NAND із 400 шарами. Для систем ШІ готується нові продукти для забезпечення високої пропускної здатності - AI-N B та AI-N P “Storage Next”.