Будівництво майбутнього пам’яті: Зсередини Fab2

Kioxia та Sandisk відкрили новий напівпровідниковий завод Fab2 у Японії, присвячений виробництву 3D NAND-пам’яті нового покоління. Головна новинка — 218-шарова архітектура, що піднімає щільність зберігання на новий рівень. У 2020 році провідними були мікросхеми з 96 шарами, сьогодні стандартом для високопродуктивних SSD є 176 шарів. Fab2 із 218 шарами обіцяє нижчу вартість на біт і вищу ефективність. Така пам’ять знайде застосування від дата-центрів до смартфонів і навіть автомобілів.

Розумніші чіпи та фабрики

Fab2 створений не лише для більш щільних мікросхем. Він використовує CMOS direct bonded to Array (CBA). Замість відокремлення логіки управління від масиву пам’яті, CBA об’єднує їх, зменшуючи затримку й прискорюючи роботу, зокрема для навчання ШІ. Для систем, які передають величезні обсяги даних через GPU, навіть невелике зниження затримки має значення. Сама фабрика також покладається на штучний інтелект: він стежить за чистотою приміщень і прогнозує необхідність обслуговування обладнання.

Конкуренція та перспективи

Kioxia, що виросла з Toshiba, і Sandisk співпрацюють понад два десятиліття. Їхні інвестиції частково підтримані японськими держсубсидіями, схваленими у 2024 році. Fab2 планує вийти на значні обсяги виробництва до середини 2026-го. Тим часом конкуренти не відстають: SK hynix вже постачає 321-шарову 3D QLC NAND із вищою швидкістю запису та кращою енергоефективністю. Перегони за щільнішу, швидшу та ефективнішу пам’ять розгортаються, і Fab2 стане одним з їхніх центрів.